分立器件元器件采购 | 原厂直供分立器件供应商 | 亿配芯城分立器件批发_分立器件电子元器件现货平台

型号/品牌/封装

品类/描述

库存

价格(含税)

资料

型号: IXA220I650NA

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
Igbt Module 650V Sot227

7893

1-9

￥288.2705

10-49

￥280.7504

50-99

￥274.9850

100-199

￥272.9796

200-499

￥271.4756

500-999

￥269.4703

1000-1999

￥268.2169

≥2000

￥266.9636

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXGN82N120B3H1

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 145A 595000mW 4Pin SOT-227B

2571

1-9

￥340.8600

10-49

￥331.9680

50-99

￥325.1508

100-199

￥322.7796

200-499

￥321.0012

500-999

￥318.6300

1000-1999

￥317.1480

≥2000

￥315.6660

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXGN200N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 晶体管 200 Amps 600V

4600

20-49

￥0.0000

50-99

￥0.0000

100-299

￥0.0000

300-499

￥0.0000

500-999

￥0.0000

1000-4999

￥0.0000

5000-9999

￥0.0000

≥10000

￥0.0000

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXYN82N120C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

3892

1-9

￥260.4405

10-49

￥253.6464

50-99

￥248.4376

100-199

￥246.6258

200-499

￥245.2670

500-999

￥243.4553

1000-1999

￥242.3229

≥2000

￥241.1906

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXYN100N120C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

7943

1-9

￥293.9515

10-49

￥286.2832

50-99

￥280.4042

100-199

￥278.3593

200-499

￥276.8256

500-999

￥274.7808

1000-1999

￥273.5027

≥2000

￥272.2247

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXXN110N65B4H1

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
Igbt 650V 215A 750W Sot227b

8581

1-9

￥218.7070

10-49

￥213.0016

50-99

￥208.6275

100-199

￥207.1060

200-499

￥205.9649

500-999

￥204.4435

1000-1999

￥203.4926

≥2000

￥202.5417

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: STGE50NC60VD

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD 单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

1060

1-9

￥238.3605

10-49

￥232.1424

50-99

￥227.3752

100-199

￥225.7170

200-499

￥224.4734

500-999

￥222.8153

1000-1999

￥221.7789

≥2000

￥220.7426

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXGN200N60B3

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B

9412

1-9

￥306.1415

10-49

￥298.1552

50-99

￥292.0324

100-199

￥289.9027

200-499

￥288.3054

500-999

￥286.1758

1000-1999

￥284.8447

≥2000

￥283.5137

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IXGN60N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 250000mW 4Pin SOT-227B

3123

1-9

￥44.8350

10-99

￥42.2625

100-249

￥40.3515

250-499

￥40.0575

500-999

￥39.7635

1000-2499

￥39.4328

2500-4999

￥39.1388

≥5000

￥38.9550

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比

产品服务

平台

联系我们

联系方式